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蔡司双束电镜Crossbeam系列显微镜

简要描述:蔡司双束电镜Crossbeam系列显微镜结合了高分辨率场发射扫描电镜(FE-SEM)的出色成像和分析性能,以及新一代聚焦离子束(FIB)的优异加工能力。无论是用于多用户实验平台,还是科研或工业实验室, 利用Crossbeam系列模块化的平台设计理念,您可基于自身需求随时升级仪器系统(例如使用LaserFIB进行大规模材料加工)

  • 产品型号:
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2024-04-23
  • 访  问  量:262

详细介绍

  蔡司双束电镜Crossbeam系列显微镜
 
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  蔡司双束电镜Crossbeam系列显微镜结合了高分辨率场发射扫描电镜(FE-SEM)的出色成像和分析性能,以及新一代聚焦离子束(FIB)的优异加工能力。无论是用于多用户实验平台,还是科研或工业实验室, 利用Crossbeam系列模块化的平台设计理念,您可基于自身需求随时升级仪器系统(例如使用LaserFIB进行大规模材料加工)。在加工、成像或是实现三维重构分析时,Crossbeam系列将大大提升您的聚焦离子束(FIB)应用效率。
 
  使您的扫描电镜(SEM)具备强大的洞察力
 
  提升您的聚集离子束(FIB)样品制备效率
 
  在您的双束电镜(FIB-SEM)分析中体验出色的三维空间分辨率
 
  使您的扫描电镜具备强大的洞察力
 
  通过样品台减速技术(Tandem decel,新型蔡司Gemini电子光学系统的一项功能)实现低电压电子束分辨率提升高达30%。
 
  使用Gemini电子光学系统,您可以从高分辨率扫描电镜(SEM)图像中获取真实的样品信息。
 
  在进行高度灵敏表面二维成像或三维断层成像时,您可以信赖蔡司双束电镜Crossbeam系列的性能。
 
  即使在使用非常低的加速电压时也可获得高分辨率、高对比度和高信噪比的清晰图像。
 
  借助一系列的探测器实现样品的表征;使用的Inlens EsB探测器获得更纯的材料成分衬度。
 
  使用低电压表征不导电样品,消除荷电效应的影响。
 
  提升您的聚焦离子束(FIB)样品制备效率
 
  得益于智能聚焦离子束(FIB)的扫描策略,移除材料相比以往实验快40%以上。
 
  镓离子FIB镜筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式:尽可能减少样品损伤,提升样品质量,从而加快实验进程。
 
  使用高达100 nA的离子束束流,高效而精确地处理样品,并保持高分辨率。
 
  制备TEM样品时,请使用镓离子FIB镜筒Ion-sculptor的低电压功能:获得超薄样品的同时,尽可能降低非晶化损伤。
 
  在您的双束电镜分析中体验出色的三维空间分辨率
 
  体验整合的三维能谱和EBSD分析所带来的优势。
 
  在切割、成像或执行三维分析时,Crossbeam系列将提升您的FIB应用效率。
 
  使用先进的快速精准三维成像及分析软硬件包——Altas 5来扩展您的Crossbeam性能。
 
  使用Atlas 5中集成的三维分析模块可在三维断层成像过程中进行EDS和EBSD分析。
 
  双束电镜的断层成像可获得优异的三维空间分辨率和各向同性的三维体素尺寸;使用Inlens EsB探测器探测小于3 nm的深度,可获得极表面的材料成分衬度图像。
 
  在加工过程中收集连续切片图像以节省时间;精确的体素尺寸和自动流程保证图像质量。
 
  蔡司双束电镜Crossbeam系列
 
  Crossbeam 350
 
  利用低真空操作,使用可变压力模式对含有气体或带电的样品进行原位实验。通过Gemini电子光学系统和镓离子FIB镜筒Ion-sculptor,实现高质量成像。
 
  Crossbeam 550
 
  为您进行要求苛刻的材料表征并选择适合您的样品尺寸——标准尺寸或大尺寸。Gemini 2电子光学系统即使在低电压和高束流条件下亦可提供高分辨率。如需在高束流条件下获得高分辨率图像以及进行快速分析,这无疑是您的理想之选。
 
  Crossbeam Laser
 
  用于切割大量材料和制备大样品的仪器——交换舱内的飞秒激光助力原位研究,避免了舱室污染,并可配置于Crossbeam 350和550,快速找到深埋结构的入口以及制备要求苛刻的结构(如原子探针样品)。
 
  Correlative Cryo Workflow(冷冻关联工作流程)
 
  这种用于在冷冻条件下进行TEM薄片制备和体积成像的解决方案能够实现接近原生状态的成像。关联宽场显微镜、激光共聚焦显微镜和双束电镜, 同时保持多功能双束电镜的灵活性。
 
  技术参数:
 
  蔡司 Crossbeam 550
 
  Gemini II镜筒
 
  可选Tandem decel
 
  标准样品仓有18个扩展接口或者加大样品仓有22个扩展接口
 
  X/Y方向行程:标准样品仓100mm加大样品仓153 mm
 
  荷电中和电子枪
 
  局域电荷中和器
 
  Inlens SE 和 Inlens EsB可同时获取SE和ESB成像
 
  大尺寸预真空室可传输8英寸晶元
 
  注意加大样品仓可同时安装3支压缩空气驱动的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探测器和局域电荷中和器
 
  高效的分析和成像,在各种条件下保持高分辨特性,同时获取Inlens SE和Inlens ESB图像
 
  特点:
 
  镓离子FIB镜筒Ion-sculptor 可在不影响加工精度的情况下加快您的FIB工作进程,并让您受益于其对任何样品的低电压性能。
 
  蔡司Crossbeam产品系列配有新一代的镓离子FIB镜筒——Ion-sculptor,具有可实现高通量的高电流以及用于高样品质量的出色低电压性能。
 
  充分利用镓离子FIB镜筒Ion-sculptor在低电压下的出色性能来提升样品质量。尽可能减少您样品的非晶化并使您在减薄后获得出色结果。
 
  产品具备全面稳定性,确保您获得精准且可重复的结果。
 
  通过快速探头电流交换加速您的FIB应用。
 
  借助高达100 nA的电子束流可进行高通量实验。
 
  实现小于3 nm的出色的FIB分辨率。
 
  Crossbeam产品系列配有用于长期实验的自动FIB发射恢复功能。
 

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